双极型晶体管参数符号及其意义

Cc—集电极电容
Ccb—集电极与基极间电容
Cce—发射极接地输出电容
Ci—输入电容
Cib—共基极输入电容
Cie—共发射极输入电容
Cies—共发射极短路输入电容
Cieo—共发射极开路输入电容
Cn—中和电容（外电路参数）
Co—输出电容
Cob—共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容
Coe—共发射极输出电容
Coeo—共发射极开路输出电容
Cre—共发射极反馈电容
Cic—集电结势垒电容
CL—负载电容（外电路参数）
Cp—并联电容（外电路参数）
BVcbo—发射极开路，集电极与基极间击穿电压
BVceo—基极开路，CE结击穿电压
BVebo— 集电极开路EB结击穿电压
BVces—基极与发射极短路CE结击穿电压
BVcer—基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压
D—占空比
fT—特征频率
fmax—最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率
hFE—共发射极静态电流放大系数
hIE—共发射极静态输入阻抗
hOE—共发射极静态输出电导
hRE—共发射极静态电压反馈系数
hie—共发射极小信号短路输入阻抗 
hre—共发射极小信号开路电压反馈系数
hfe—共发射极小信号短路电压放大系数
hoe—共发射极小信号开路输出导纳
IB—基极直流电流或交流电流的平均值
Ic—集电极直流电流或交流电流的平均值
IE—发射极直流电流或交流电流的平均值
Icbo—基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流
Iceo—发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Iebo—基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流
Icer—基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流
Ices—发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Icex—发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流
ICM—集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。
IBM—在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值
ICMP—集电极最大允许脉冲电流
ISB—二次击穿电流
IAGC—正向自动控制电流
Pc—集电极耗散功率
PCM—集电极最大允许耗散功率
Pi—输入功率
Po—输出功率
Posc—振荡功率
Pn—噪声功率基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积
rie—发射极接地，交流输出短路时的输入电阻
roe—发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻
RE—外接发射极电阻（外电路参数）
RB—外接基极电阻（外电路参数）
Rc—外接集电极电阻（外电路参数）
RBE—外接基极-发射极间电阻（外电路参数）
RL—负载电阻（外电路参数）
RG—信号源内阻
Rth—热阻
Ta—环境温度
Tc—管壳温度
Ts—结温
Tjm—最大允许结温
Tstg—贮存温度
td—-延迟时间
tr—上升时间
ts—存贮时间
tf—下降时间
ton—开通时间
toff—关断时间
VCB—集电极-基极（直流）电压
VCE—集电极-发射极（直流）电压
VBE—基极发射极（直流）电压
VCBO—基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VEBO—基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VCEO—发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCER—发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压
VCES—发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCEX—发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压
Vp—穿通电压。
VSB—二次击穿电压
VBB—基极（直流）电源电压（外电路参数）
Vcc—集电极（直流）电源电压（外电路参数）
VEE—发射极（直流）电源电压（外电路参数）
VCE(sat)—发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降
VBE(sat)—发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）
VAGC—正向自动增益控制电压
Vn(p-p)—输入端等效噪声电压峰值