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晶圆的制造工艺（上）
现在科技迅速在发展当中，本文我们为大家深入讲解晶圆的制造工艺，希望对大家有所帮助。 表面清洗 晶圆表面附着一层大约2um的Al2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。 初次氧化 有热氧化法生成SiO2 缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力氧化技术：干法氧化Si(固)+O2 à SiO2(固)和湿法氧化Si(固)+2H2O à SiO2(固)…- 211
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晶圆的制造工艺（下）
现在科技迅速在发展当中，本文我们为大家深入讲解晶圆的制造工艺，希望对大家有所帮助。 去除SIO2层 退火处理，然后用 HF 去除 SiO2 层。 干法氧化法 干法氧化法生成一层SiO2 层，然后LPCVD 沉积一层氮化硅。此时P 阱的表面因SiO2 层的生长与刻蚀已低于N 阱的表面水平面。这里的SiO2 层和氮化硅的作用与前面一样。接下来的步骤是为了隔离区和栅极与晶面之间的隔离层。 光刻技术和离子…- 273
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